FQP47P06
Symbol Micros:
TFQP47p06
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 26mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 47A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP47P06 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 12,8700 | 11,1200 | 10,0900 | 9,4400 | 9,1900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP47P06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
732 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 9,1900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP47P06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
319 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 9,1900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP47P06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
880 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 9,1900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 26mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 47A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |