FQP47P06

Symbol Micros: TFQP47p06
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 26mOhm
Maksymalny prąd drenu: 47A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP47P06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,8700 11,1200 10,0900 9,4400 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
732 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
319 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
880 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 26mOhm
Maksymalny prąd drenu: 47A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT