FQP6N80C
Symbol Micros:
TFQP6n80c
Obudowa: TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,5Ohm; 5,5A; 158W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 158W |
| Obudowa: | TO220AB |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP6N80C RoHS
Obudowa dokładna: TO220AB
Stan magazynowy:
90 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9000 | 3,7400 | 3,1000 | 2,7100 | 2,5800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP6N80C
Obudowa dokładna: TO220AB
Magazyn zewnetrzny:
350 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,6023 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP6N80C
Obudowa dokładna: TO220AB
Magazyn zewnetrzny:
700 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2661 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP6N80C
Obudowa dokładna: TO220AB
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3709 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 158W |
| Obudowa: | TO220AB |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |