FQP6N90C

Symbol Micros: TFQP6n90c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 167W
Obudowa: TO220
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP6N90C ROHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 10,6100 8,9000 7,9100 7,3000 7,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 2,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 167W
Obudowa: TO220
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT