FQPF2N60C
Symbol Micros:
TFQPF2n60c
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 23W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQPF2N60C RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4400 | 4,9200 | 4,0700 | 3,5700 | 3,3900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQPF2N60C RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
6 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4400 | 4,9200 | 4,0700 | 3,5700 | 3,3900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQPF2N60C
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
14650 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 23W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |