FQPF3N80C

Symbol Micros: TFQPF3n80c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 39W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 39W
Obudowa: TO220iso
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQPF3N80C Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
550 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4430
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 39W
Obudowa: TO220iso
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT