FQPF8N80C
Symbol Micros:
TFQPF8n80c
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,55Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 59W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQPF8N80C RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,4900 | 8,3200 | 7,5200 | 7,1200 | 6,9900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQPF8N80C
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,55Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 59W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |