FZT651TA

Symbol Micros: TFZT651ta
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 300; 3W; 60V; 3A; 175MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FZT651TC;
Parametry
Moc strat: 3W
Częstotliwość graniczna: 175MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT651TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
830 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8900 1,1500 0,8810 0,7950 0,7560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT651TA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
116000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT651TA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 3W
Częstotliwość graniczna: 175MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN