FZT851TA
Symbol Micros:
TFZT851TA Diodes
Obudowa: SOT223-4
Tranzystor NPN; Bipolar; 300; 60V; 7V; 130MHz; 6A; 3W; -55°C~150°C;
Parametry
Moc strat: | 3W |
Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Producent: | DIODES |
Obudowa: | SOT223-4 |
Maksymalny prąd kolektora: | 6A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT851TA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223-4 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1170 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,0100 | 1,9100 | 1,5100 | 1,3700 | 1,3100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT851TA
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
521000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,3100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT851TA
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,3100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT851TA
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,3100 |
Moc strat: | 3W |
Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Producent: | DIODES |
Obudowa: | SOT223-4 |
Maksymalny prąd kolektora: | 6A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |