FZT851TA

Symbol Micros: TFZT851TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223-4
Tranzystor NPN; Bipolar; 300; 60V; 7V; 130MHz; 6A; 3W; -55°C~150°C;
Parametry
Moc strat: 3W
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223-4
Maksymalny prąd kolektora: 6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT851TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223-4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1170 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,0100 1,9100 1,5100 1,3700 1,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT851TA Obudowa dokładna: SOT223-4  
Magazyn zewnetrzny:
521000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT851TA Obudowa dokładna: SOT223-4  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT851TA Obudowa dokładna: SOT223-4  
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 3W
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223-4
Maksymalny prąd kolektora: 6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN