FZT855TA Diodes Incorporated
Symbol Micros:
TFZT855
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 300; 3W; 150V; 5A; 90MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 3W |
| Częstotliwość graniczna: | 90MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 150V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT855TA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
189 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8200 | 2,5300 | 2,0900 | 1,8800 | 1,8200 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT855TA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8200 | 2,5300 | 2,0900 | 1,8800 | 1,8200 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT855TA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8200 |
| Moc strat: | 3W |
| Częstotliwość graniczna: | 90MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 150V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |