GAN063-650WSAQ
Symbol Micros:
TGAN063-650WSAQ
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel GaN/MOS-FET; 650V; 20V; 120mOhm; 34,5A; 143W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 34,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 143W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: GAN063-650WSAQ RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 10+ | 20+ | 40+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 74,1300 | 61,3400 | 58,1400 | 55,8100 | 54,1100 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: GAN063-650WSAQ
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
| ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 54,1282 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: GAN063-650WSAQ
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
260 szt.
| ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 54,1100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 34,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 143W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |