HGTG10N120BND
Symbol Micros:
THGTG10n120bnd
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 35A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 150nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 298W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 35A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 80A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 6,0V ~ 6,8V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HGTG10N120BND
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
449 szt.
| ilość szt. | 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,9837 |
| Ładunek bramki: | 150nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 298W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 35A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 80A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 6,0V ~ 6,8V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Napięcie kolektor-emiter: | 1200V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |