HGTG12N60A4D
Symbol Micros:
THGTG12n60a4d
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 167W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 54A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 96A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,6V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HGTG12N60A4D RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 22,1900 | 20,4300 | 19,3500 | 18,8000 | 18,4900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HGTG12N60A4D RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
1 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 9+ | 30+ | 93+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 27,1800 | 23,0500 | 20,6900 | 19,2400 | 18,4900 |
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 167W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 54A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 96A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,6V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |