HGTG40N60A4
Symbol Micros:
THGTG40n60a4
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 520nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 625W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 75A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 300A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,5V ~ 7,0V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HGTG40N60A4 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
19 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 45,7000 | 39,2700 | 35,2600 | 33,1700 | 31,9600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HGTG40N60A4
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
300 szt.
| ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 31,9600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HGTG40N60A4
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
60 szt.
| ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 31,9600 |
| Ładunek bramki: | 520nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 625W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 75A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 300A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,5V ~ 7,0V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |