HUF75321P3
Symbol Micros:
THUF75321p3
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 34mOhm; 35A; 93W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF75321S3S; HUF75321D3S;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 34mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 93W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 55V |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: HUF75321P3 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7600 | 2,7600 | 2,2100 | 1,9000 | 1,7900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HUF75321P3
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1700 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6367 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 34mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 93W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |