HUF75344G3
Symbol Micros:
THUF75344g
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 8mOhm; 75A; 285W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 75A |
| Maksymalna tracona moc: | 285W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 55V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HUF75344G3 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
34 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 60+ | 240+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 15,4200 | 12,0700 | 10,5700 | 10,2800 | 9,9500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HUF75344G3
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
390 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,9500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 75A |
| Maksymalna tracona moc: | 285W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |