HUF75545P3
Symbol Micros:
THUF75545p3
Obudowa:
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 10mOhm; 75A; 270W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 75A |
| Maksymalna tracona moc: | 270W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 80V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HUF75545P3
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
150 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,9837 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HUF75545P3
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,5479 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 75A |
| Maksymalna tracona moc: | 270W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |