HUF75645P3
Symbol Micros:
THUF75645p3
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 310W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 14mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 75A |
Maksymalna tracona moc: | 310W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HUF75645P3 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
19 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 10,3700 | 7,9600 | 6,7700 | 6,6200 | 6,4800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HUF75645P3
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,4800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: HUF75645P3
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1419 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,4800 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: HUF75645P3
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
37750 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,4800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 14mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 75A |
Maksymalna tracona moc: | 310W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |