IGW15N120H3FKSA1

Symbol Micros: TIGW15n120h3
Obudowa: TO247
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3;
Parametry
Ładunek bramki: 75nC
Maksymalna moc rozpraszana: 217W
Maksymalny prąd kolektora: 30A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 60A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IGW15N120H3FKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 13,1000 11,6500 10,7800 10,3400 10,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: Infineon Symbol producenta: IGW15N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
697 szt.
ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IGW15N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
93 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,7049
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Ładunek bramki: 75nC
Maksymalna moc rozpraszana: 217W
Maksymalny prąd kolektora: 30A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 60A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: SMD