IGW25N120H3
Symbol Micros:
TIGW25n120h3
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1
Parametry
| Ładunek bramki: | 115nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 326W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 50A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 100A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon Technologies |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IGW25N120H3FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
27 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 23,2300 | 19,5400 | 17,3200 | 16,2100 | 15,5900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IGW25N120H3FKSA1
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
437 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 15,5900 |
| Ładunek bramki: | 115nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 326W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 50A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 100A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Napięcie kolektor-emiter: | 1200V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |