IGW40N60H3FKSA1
Symbol Micros:
TIGW40n60h3
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N60H3;
Parametry
Ładunek bramki: | 223nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 306W |
Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,1V ~ 5,7V |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | Infineon Technologies |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IGW40N60H3FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 13,5300 | 12,0200 | 11,1200 | 10,6600 | 10,4100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IGW40N60H3FKSA1
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
65 szt.
ilość szt. | 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,4100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IGW40N60H3FKSA1
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
165 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,4100 |
Ładunek bramki: | 223nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 306W |
Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,1V ~ 5,7V |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | Infineon Technologies |
Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
Napięcie bramka-emiter: | 20V |
Montaż: | THT |