IKD04N60R
Symbol Micros:
TIKD04n60r
Obudowa: TO252 (DPACK)
Trans IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;
Parametry
Ładunek bramki: | 27nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 75W |
Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 12A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,3V ~ 5,7V |
Obudowa: | TO252 (DPAK) |
Producent: | Infineon Technologies |
Ładunek bramki: | 27nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 75W |
Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 12A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,3V ~ 5,7V |
Obudowa: | TO252 (DPAK) |
Producent: | Infineon Technologies |
Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
Napięcie bramka-emiter: | 20V |