IKP15N60T
Symbol Micros:
TIKP15n60t
Obudowa: TO220
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
Parametry
| Ładunek bramki: | 87nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 130W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 26A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 45A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,1V ~ 5,7V |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IKP15N60TXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,9400 | 6,8700 | 5,8400 | 5,7100 | 5,5900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IKP15N60TXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1900 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,5900 |
| Ładunek bramki: | 87nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 130W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 26A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 45A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,1V ~ 5,7V |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |