IKP20N60T
Symbol Micros:
TIKP20n60t
Obudowa: TO220
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKP20N60TXKSA1;
Parametry
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 166W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 41A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 60A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,1V ~ 5,7V |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IKP20N60T RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,9600 | 9,0300 | 8,0400 | 7,9200 | 7,8300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IKP20N60TXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
70 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,8300 |
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 166W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 41A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 60A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,1V ~ 5,7V |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |