IKW15N120CS7

Symbol Micros: TIKW15n120cs7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT; 1200V; 20V; 95nC; 36A; 176W; -40°C~175°C;
Parametry
Ładunek bramki: 95nC
Maksymalna moc rozpraszana: 176W
Maksymalny prąd kolektora: 36A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 45A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,15V ~ 6,45V
Obudowa: TO247
Producent: INFINEON
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW15N120CS7XKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
16 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,0291
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Ładunek bramki: 95nC
Maksymalna moc rozpraszana: 176W
Maksymalny prąd kolektora: 36A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 45A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,15V ~ 6,45V
Obudowa: TO247
Producent: INFINEON
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT