IKW15N120H3FKSA1

Symbol Micros: TIKW15n120h3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3;
Parametry
Ładunek bramki: 75nC
Maksymalna moc rozpraszana: 217W
Maksymalny prąd kolektora: 30A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 60A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW15N120H3FKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 17,1100 15,2100 14,0700 13,5000 13,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ładunek bramki: 75nC
Maksymalna moc rozpraszana: 217W
Maksymalny prąd kolektora: 30A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 60A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT