IKW15N120T2

Symbol Micros: TIKW15n120t2
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120T2FKSA1;
Parametry
Ładunek bramki: 93nC
Maksymalna moc rozpraszana: 235W
Maksymalny prąd kolektora: 30A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 60A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,2V ~ 6,4V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW15N120T2 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,7700 14,9100 13,7900 13,2300 12,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW15N120T2FKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
92 szt.
ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Ładunek bramki: 93nC
Maksymalna moc rozpraszana: 235W
Maksymalny prąd kolektora: 30A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 60A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,2V ~ 6,4V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT