IKW25N120T2
Symbol Micros:
TIKW25n120t2
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 349W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 50A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 100A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,2V ~ 6,4V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon Technologies |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IKW25N120T2FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 25,9100 | 21,7900 | 19,3200 | 18,0800 | 17,3900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IKW25N120T2FKSA1
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
5783 szt.
| ilość szt. | 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 17,3900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IKW25N120T2FKSA1
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
593 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 17,3900 |
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 349W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 50A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 100A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,2V ~ 6,4V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Napięcie kolektor-emiter: | 1200V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |