IKW25T120

Symbol Micros: TIKW25t120
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 190W; 5,0V~6,5V; 155nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IKW25T120FKSA1 INFINEON;
Parametry
Ładunek bramki: 155nC
Maksymalna moc rozpraszana: 190W
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 75A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW25T120FKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
400 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 12,2960
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW25T120FKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
191 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 15,7381
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Ładunek bramki: 155nC
Maksymalna moc rozpraszana: 190W
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 75A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT