IKW25T120

Symbol Micros: TIKW25t120
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 190W; 5,0V~6,5V; 155nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IKW25T120FKSA1 INFINEON;
Parametry
Ładunek bramki: 155nC
Maksymalna moc rozpraszana: 190W
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 75A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW25T120FKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 18,8500 16,7600 15,5000 14,8800 14,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW25T120FKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
180 szt.
ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 14,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW25T120FKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
168 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,1879
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Ładunek bramki: 155nC
Maksymalna moc rozpraszana: 190W
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 75A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT