IKW40N120T2

Symbol Micros: TIKW40n120t2
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 160A; 480W; 5,2V~6,4V; 192nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120T2FKSA1;
Parametry
Ładunek bramki: 192nC
Maksymalna moc rozpraszana: 480W
Maksymalny prąd kolektora: 75A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 160A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,2V ~ 6,4V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW40N120T2 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 100+
cena netto (PLN) 36,8700 30,1100 27,0400 26,3000 25,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ładunek bramki: 192nC
Maksymalna moc rozpraszana: 480W
Maksymalny prąd kolektora: 75A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 160A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,2V ~ 6,4V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT