IKW50N60T

Symbol Micros: TIKW50n60t
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 150A; 333W; 4,1V~5,7V; 310nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW50N60TFKSA1; IKW50N60TAFKSA1;
Parametry
Ładunek bramki: 310nC
Maksymalna moc rozpraszana: 333W
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 150A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW50N60T RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 25,2900 21,2900 18,8900 17,6900 16,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW50N60T RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 90+ 180+
cena netto (PLN) 25,2900 20,2100 17,8800 17,2300 16,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/90
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW50N60TFKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
167 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 16,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Ładunek bramki: 310nC
Maksymalna moc rozpraszana: 333W
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 150A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V