IPA086N10N3GXKSA1
Symbol Micros:
TIPA086n10n3g
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15,4mOhm; 45A; 37,5W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 15,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 45A |
| Maksymalna tracona moc: | 37,5W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPA086N10N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,0900 | 3,8900 | 3,2200 | 2,8200 | 2,6800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPA086N10N3GXKSA1
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
2300 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 15,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 45A |
| Maksymalna tracona moc: | 37,5W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |