IPB042N10N3G Infineon
Symbol Micros:
TIPB042n10n3g
Obudowa: TO263/3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,4mOhm; 137A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB042N10N3GATMA1; IPB042N10N3GE8187ATMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 137A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO263/3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB042N10N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnetrzny:
107000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8457 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB042N10N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8363 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 137A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO263/3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |