IPB072N15N3G Infineon
Symbol Micros:
TIPB072n15n3g
Obudowa: TO263/3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO263/3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB072N15N3G RoHS
Obudowa dokładna: TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 16,2200 | 13,9500 | 13,0600 | 12,5900 | 12,4800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB072N15N3G RoHS
Obudowa dokładna: TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 16,2200 | 13,9500 | 13,0600 | 12,5900 | 12,4800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB072N15N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnetrzny:
5015 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,4800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB072N15N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnetrzny:
61000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,4800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO263/3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |