IPB090N06N3G INFINEON
Symbol Micros:
TIPB090n06n3
Obudowa: TO263/3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,3mOhm; 50A; 71W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB090N06N3GATMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 71W |
| Obudowa: | TO263/3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB090N06N3G RoHS
Obudowa dokładna: TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
126 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7300 | 2,3600 | 1,8600 | 1,7000 | 1,6200 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB090N06N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6200 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB090N06N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 71W |
| Obudowa: | TO263/3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |