IPB107N20N3G INFINEON
Symbol Micros:
TIPB107n20n3g
Obudowa: TO263/3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 88A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO263/3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB107N20N3G RoHS
Obudowa dokładna: TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 18,5600 | 15,9600 | 14,9500 | 14,4000 | 14,2800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB107N20N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 14,2800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB107N20N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnetrzny:
26000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 14,2800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 88A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO263/3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |