IPB107N20N3G INFINEON
Symbol Micros:
TIPB107n20n3g
Obudowa: TO263/3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 88A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO263/3 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 88A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO263/3 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |