IPD090N03LG Infineon
Symbol Micros:
TIPD090n03lg
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 40A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD090N03LGATMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 40A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO252/3 (DPAK) |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD090N03LG RoHS
Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8800 | 1,1400 | 0,8740 | 0,7880 | 0,7500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD090N03LGATMA1
Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK)
Magazyn zewnetrzny:
7564 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 40A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO252/3 (DPAK) |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |