IPD100N06S403ATMA2

Symbol Micros: TIPD100n06s403
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO-252-3
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 20V
Producent: Infineon Symbol producenta: IPD100N06S403ATMA2 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 17,8800 15,0500 13,3500 12,5100 12,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 3,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO-252-3
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 20V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD