IPD30N06S2L23ATMA3
Symbol Micros:
TIPD30n06s2l23
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 23mOhm; 30A; 100W; -55°C~175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD30N06S2L23ATMA3
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
390000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6136 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |