IPD320N20N3G
Symbol Micros:
TIPD320n20n3g
Obudowa:
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 32mOhm; 34A; 136W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD320N20N3GATMA1; IPD320N20N3GBTMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 34A |
| Maksymalna tracona moc: | 136W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD320N20N3GATMA1
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
125000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9369 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD320N20N3GATMA1
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1429 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 34A |
| Maksymalna tracona moc: | 136W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |