IPD50R380CE Infineon
Symbol Micros:
TIPD50r380ceatma1
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 900mOhm; 14,1A; 98W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD50R380CEATMA1; IPD50R380CEAUMA1; IPD50R380CEBTMA1; IPD50R380CE;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 98W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 550V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD50R380CEAUMA1
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
910000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7340 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD50R380CEAUMA1
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2862 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 98W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 550V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |