IPD60R600PFD7S
Symbol Micros:
TIPD60r600pfd7s
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,219Ohm; 6A; 31W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R600PFD7SAUMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,219Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 31W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD60R600PFD7SAUMA1
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3910 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,219Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 31W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |