IPD90N03S4L03ATMA1
Symbol Micros:
TIPD90n03s4l03
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 3,3mOhm; 90A; 94W; -55°C~175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 90A |
| Maksymalna tracona moc: | 94W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD90N03S4L03ATMA1
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
712500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4569 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 90A |
| Maksymalna tracona moc: | 94W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |