IPD90R1K2C3 INFINEON
Symbol Micros:
TIPD90r1k2c3
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5,1A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD90R1K2C3ATMA1; IPD90R1K2C3BTMA1; IPD90R1K2C3ATMA2;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD90R1K2C3ATMA2
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2457 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD90R1K2C3ATMA2
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1558 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |