IPG16N10S461AATMA1

Symbol Micros: TIPG16n10s461a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON-8
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 25V; 61mOhm; 16A; 29W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IPG16N10S461ATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 61mOhm
Maksymalny prąd drenu: 16A
Maksymalna tracona moc: 29W
Obudowa: TDSON-8
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Producent: Infineon Symbol producenta: IPG16N10S461ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0288
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 61mOhm
Maksymalny prąd drenu: 16A
Maksymalna tracona moc: 29W
Obudowa: TDSON-8
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C