IPI045N10N3GXKSA1
Symbol Micros:
TIPI045n10n3g
Obudowa: TO262
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 100A; 214W; -55°C~175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO262 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPI045N10N3GXKSA1
Obudowa dokładna: TO262
Magazyn zewnetrzny:
900 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,0905 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO262 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |