IPN50R2K0CEATMA1
Symbol Micros:
TIPN50r2k0ce
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 2Ohm; 3,6A; 5W; -40°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPN50R2K0CEATMA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
726000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4824 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |