IPN50R950CEATMA1
Symbol Micros:
TIPN50r950ce
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; +/-20V; 950mOhm; 6,6A; 5W; -40°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPN50R950CEATMA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6807 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |