IPN60R360PFD7S
Symbol Micros:
TIPN60r360pfd7s
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 705mOhm; 10A; 7W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R360PFD7SATMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 705mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 7W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3100 | 2,8600 | 2,3700 | 2,1400 | 2,0500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 705mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 7W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |