IPN70R450P7SATMA1
Symbol Micros:
TIPN70r450p7s
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; +/-16V; 450mOhm; 10A; 7,1W; -40°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 7,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPN70R450P7SATMA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8608 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 7,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |