IPP024N06N3GXKSA1
Symbol Micros:
TIPP024n06n3g
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 2,4mOhm; 120A; 250W; -55°C~175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 250W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP024N06N3GXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
9500 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1913 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 250W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |